プレスリリース 詳細PRESSRELEASES

 11月13日、メディア各社にプレスリリース「KU EXPRESS」No.jr16を配信しました。

～ EUVレジストの反応を促進し、20％以上の増感効果を確認 ～

【本文】
 日本曹達株式会社（本社：東京都千代田区／代表取締役社長：阿賀英司、以下「日本曹達」）と、学校法人関西大学（所在地：大阪府吹田市／学長：高橋智幸、以下「関西大学」）は、先端半導体の製造に用いられるEUV（極端紫外線）レジストの感度を高める、新たな下層膜材料を共同で開発しました。
 本開発品は、EUVレジストと半導体基板の間に形成するポリマー材料です。EUV露光時に、レジストの化学反応を促進する機能を持たせています。ポジ型CAR（化学増幅型レジスト）を用いた初期評価では、本開発品を使用しない場合と比較して、より少ないEUV露光量でレジストが感光することを確認しました。レジスト膜厚の減少を指標とした評価では、20％以上の増感効果が見られました。また、厚膜形成技術の一つであるネガ型CARにおいても、同じ傾向の増感効果が得られました。これらの結果から、本開発品がEUVレジストの感度向上に有効な材料となる可能性が示されました。
 両者は今後、材料の組成や構造の最適化を進め、次世代半導体製造プロセスへの採用を目指してまいります。

■開発の背景
 EUVリソグラフィーは、最先端半導体の数～数十nmレベルの微細な回路パターンを形成するために用いられる重要な技術です。この技術を用いて製造される先端半導体は、生成AIを支えるデータセンターや高速通信など、幅広い分野で利用されています。EUVは波長13.5nmの短波長光であり、ArF光（波長193nm）やKrF光（波長248nm）と比べて、より細かな加工が可能となります。
 一方、EUV露光技術には2つの課題があります。一つは、露光装置の消費電力が他の露光法に比べ格段に大きく、従来の露光法と比較しても数倍以上の電力を必要とする点です*。半導体製造工程におけるエネルギー使用量の低減に向けても、露光プロセスの効率化が求められています。もう一つは、EUV露光は照射エネルギーあたりの光子数が少ないことに加え、短波長光ゆえ、空気や材料に吸収されやすく、レジストに到達する光量が限られる点です。そのため、EUVを効率的に利用し、少ない露光量でレジストを感光させる材料技術が求められています。
 このような課題の解決は、SDGs目標7「エネルギーをみんなに、そしてクリーンに」に向けた取り組みにもつながるアクションであり、本開発品を通じた貢献が期待されます。
* 出典：ASML社 2025 Annual Report on IFRS https://investor.asml.com/annual-reports/2025/downloads
■開発した材料の概要
 今回開発した材料は、EUV増感機能を持つポリマーであり、EUVレジストの下層膜として 使用することを想定しています。
 一般的な下層膜は、レジストの塗布性やレジストおよび半導体基板との密着性、反射防止などを目的として使用されます。
 本開発品では、これらの機能に加え、EUVを吸収して二次電子を発生させる機能を下層膜に付与しました。EUV露光時には、レジスト層を通過したEUVを下層膜が吸収します。その際に発生した二次電子がレジスト中の光酸発生剤（PAG）などに作用することで、レジストの化学反応を促進し、感度向上に寄与することが期待されます。

・・・＜詳細は以下のリンクより＞

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