2025年08月06日 外部資金
科学技術振興機構（JST）「次世代エッジAI半導体研究開発事業」に係る公募について
超低消費電力等の革新的な次世代エッジAI半導体に必要となる設計、製造、材料などの技術に関して、既存の産業あるいは2030年代中盤以降に求められる新たな産業からバックキャストした技術のうち、アカデミアが行うべき技術について、産業界への速やかな橋渡しを意識した研究開発を行います。
URL：https://www.jst.go.jp/program/edge-ai-semicon/open-call/index.html
対象テーマ
テーマ① 高効率自動設計による次世代AI 回路・システム
テーマ② 3D 集積技術
テーマ③ 次世代トランジスタ技術
研究開発期間
研究開発開始時点から原則5年間（60カ月間）以内で設定
研究開発費
①総額（上限）20億円/課題
②総額（上限）30億円/課題
③総額（上限）90億円/課題
採択予定課題数
①5課題
②1課題
③1課題