「次世代半導体微細加工プロセス技術」に関する研究開発構想
（プロジェクト型）
　①拠点研究開発
　②EUV露光用次世代革新光源の開発
　③光源、光学系、材料系、計測技術等の要素技術開発
（フィージビリティスタディ）

・研究開発開始から原則5年（60ヵ月）以内
（研究開発の開始時期は2024年10月を想定）
・SG評価までの期間は原則2年間（24ヵ月）

①総額最大100億円
②総額最大25億円
③総額最大10億円
・SG評価前：1課題あたり上限2千万円／年
・SG評価後：1課題あたり4千万円程度／年
※間接経費含む

①1課題
②1課題程度
③FSとして10課題程度