小澤・吉川記念エレクトロニクス研究助成基金
「令和6年度 研究助成」

対象研究分野

・電子素子の製造基盤技術の研究開発
・半導体材料および加工技術の研究開発
・固体電子素子の研究開発
・電子回路の応用研究
・光電子素子の研究開発
・情報処理関連研究
・生体系、宇宙系、量子系、ロボティクスに対する
 電子技術の応用研究
・その他のテーマ

応募資格

35歳以下(2024年4月1日現在)の若手研究者

助成額

200万円以下/件

助成期間

2024年4月1日~2025年3月31日