システム理工学部 物理・応用物理学科 物性理論研究室の
伊藤博介准教授が、英国物理学会誌（Journal of Physics D:Applied Physics　http://iopscience.iop.org/0022-3727/page/2010%20Highlights）に
発表した論文が2010 Highlightsに選ばれました。

このHighlights は、同誌に発表された論文の中で、最も際立った質の高い研究を厳選したものです。
発表論文のタイトルは、”Bias dependence of spin-polarized tunnel current through Fe/GaAs and Fe/GaAs/Fe junctions”です。

強磁性体と半導体の界面に現れる特殊な電子状態が電気伝導特性に与える影響を明らかにし、
これを制御することで高性能な磁気抵抗素子が実現可能なことを示した論文です。
電子工学と磁気工学を融合した新たなスピントロニクスの研究分野に大きなインパクトを与えています。


☆論文詳細データ
Bias dependence of spin-polarized tunnel current through Fe/GaAs and Fe/GaAs/Fe junctions
1S. Honda‚ 2H. Itoh and 1J. Inoue
1Department of Applied Physics‚ Nagoya University‚ Nagoya 464-8603‚ Japan
2Department of Pure and Applied Physics‚ Kansai University‚ Suita 564-8
Journal of Physics D: Applied Physics‚ Vol. 43‚ 135002 (2010).


☆スピントロニクスについての補足
従来の電子工学と磁気工学を融合した研究分野。電子の持つ電荷とスピンの両方を利用することで、
新たな物理現象の探索、新機能デバイスの開発を目指す。
ハードディスクのヘッド、不揮発なRandom AccessMemory や再構成可能な論理回路などへの
応用が期待されている。
この分野が発展する契機となった研究に対して、ノーベル物理学賞(2007 年)が与えられて以来、
スピントロニクスの研究は世界的にさらなる盛り上がりを見せている。