研究員紹介
上田 哲三 / UEDA Tetsuzo
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所属
システム理工学部（グリーンエレクトロニクス工学科）
教授
研究室
パワー半導体工学研究室
研究の経緯
カーボンニュートラル実現のためには電力変換の進化が必要不可欠である。そこで、GaN、SiC といったワイドギャップ半導体を用いたパワーデバイスに注目し、これらの高速動作・低抵抗化を通して低損失かつ小型な電力変換機器を実現するための研究を行っている。
研究テーマ
① 微細ゲートを有するGaNパワーデバイスによる高速動作実現
② GaNパワーデバイスの電極コンタクト抵抗低減
③ SiCパワーデバイスのチャネル抵抗低減
研究分野
- ライフサイエンス
- 情報通信
- 環境・農学
- ナノテク・材料
- エネルギー
- ものづくり技術（機械・電気電子・化学工学）
- 社会基盤（土木・建築・防災）
- フロンティア（航空・船舶）
- 人文・社会
- 自然科学一般
- その他
キーワード
オン抵抗、耐圧、高速スイッチング、GaN ヘテロ接合トランジスタ、微細ゲート、電極コンタクト抵抗、SiC MOSFET、チャネル抵抗
応用技術分野
電源、コンバータ、インバータ、高速充電器、データセンター、AI 半導体、電気自動車
Faculty, Department
Professor
Department of Green Electronics,
Faculty of Engineering Science
Research Topics
① Short channel GaN power devices enabling high speed switching
② GaN power devices with low ohmic contact resistances
③ SiC power devices with low channel resistances
Research Field
- Life Science
- Informatics
- Environmental Science/Agriculture Science
- Nanotechnology/Materials
- Energy Engineering
- Manufacturing Technology(Mechanical Engineering, Electrical and Electronic Engineering, Chemical Engineering)
- Social Infrastructure(Civil Engineering, Architecture, Disaster Prevention)
- Frontier Technology(Aerospace Engineering, Marine and Maritime Engineering)
- Humanities & Social Sciences
- Natural Science
- Other
Key Words
On-state resistance, Breakdown voltage, High speed switching, GaN heterojunction transistor, Short channel, Ohmic contact resistance, SiC MOSFET, Channel resistance
Applications
Power supply, Converter, Inverter, High speed charger, Data center, AI chip, Electric vehicle