SOI Lubistorの物理学と応用
大村泰久 著
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判 型 | A5判 |
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ページ | 424頁 |
定 価 | 5,280円(本体4,800円+税) |
ISBN | 978-4-87354-645-2 |
分類コード | C3042 |
刊行年月 | 2017年02月 |
IBMがSOI基板技術をLSIとして2001年に実用化した時、静電破壊保護用半導体デバイスとしてLubistorが採用された。Lubistorはその後最先端半導体デバイスであるトンネルFETとして注目されている。今後の応用開拓のためLubistorの提案の経緯から現在までの発展過程を詳細に説明する。
- 目 次
- 目 次
第1部 pn接合デバイスの歴史の概要と近年のデバイス応用例
第2部 SOI Lubistorの物理学とモデルの検討
―厚い半導体層のデバイス―
第3部 SOI Lubistorの物理学とモデルの検討
―薄い半導体層のデバイス―
第4部 回路応用
第5部 SOI Lubistorの光学デバイス応用
第6部 試験、評価手段としてのSOI Lubistor
第7部 SOI Lubistorの将来にわたる発展の見通し
第8部 半導体デバイス解析のためのデバイス物理学及び数学のまとめ
本著を構成する原著論文等
索 引